随着电子信息时代的快速发展,新型电子产品层出不穷,电子封装行业蓬勃发展。电子封装互联技术作为影响电子设备可靠性的重要一环被愈发重视,钎焊是电子封装中的关键技术,根据钎焊温度是否高于 450℃,钎焊种类被分为软钎焊和硬钎焊。由于封装电路板中有机材料存在,通常钎焊温度不大于 280℃,因此现代电子封装行业通常选用软钎焊作为电子封装连接工艺。Sn-Pb 合金钎料因其良好性能,通常被选作连接材料,然而我国在“十三五”发展规划中提出的“中国制造 2025”及近二十年全球趋势表明绿色制造时代已经到来。因 Pb 对人体有害及环境污染等问题,传统的 Sn-Pb 钎料合金及相应的工业体系,已难以适应绿色环保时代的需求。因此,新型无铅钎料如何提高性能以及探究其深层次界面反应机理成为当下电子封装领域亟待研究的课题。
在众多的无铅钎料中 In-Sn 系钎料凭借其优良延展性、抗热疲劳性能及较低的熔点,备受学者们的青睐,具有广阔的应用前景。然而在微电子封装互联结构生产及服役过程中发现,现有的 In-Sn 系钎料性能,不符合先进微电子封装技术对高性能钎料的需求目标,制约其进一步发展。科研工作者发现将合金元素、增强颗粒与钎料进行复合,可以提高钎料合金的润湿性、机械性能;细化钎料内部晶粒;抑制封装界面 IMC 层厚度,提高焊点可靠性。
Liu 等人使用不同孔隙率泡沫 Ni 强化 In-48Sn 钎料,研究结果表明,钎料强化效果主要归因于泡沫 Ni 的承载能力,镍骨架的存在抑制裂纹的产生,阻 止裂 纹 的 扩 展;50%/70%/80%/90%Ni-In48Sn 四种复合钎料中 ,50%Ni-In48Sn表现出最大拉伸强度 62.12 MPa,该数值为泡沫镍及 In-48Sn 基体强度叠加和的2.69 倍,50%Ni-In48Sn/Al 焊接接头表现出最大剪切强度 34.34 MPa,高出In-48Sn/Al 焊接接头剪切强度 335.2%。Han 等人研究了 In-Sn-x Cu/Cu 接头的微观结构演变和剪切强度变化规律,结果表明,该钎料在 Cu 基板上的润湿角和 Cu含量呈负相关;IMC 层由 Cu6(In,Sn)5 和 Cu(In,Sn)2 构成;In-Sn-0.2Cu/Cu 接头剪切强度表现较好,剪切强度为 16.5MPa。
Yang 等人通过 TLP 技术研究了 260℃不同键合时间下 Cu/In-Sn-20Cu/Cu 焊点微观结构演化和剪切强度变化规律问题,结果表明,IMC 层由 Cu6(In,Sn)5 和 Cu3(In,Sn)构成,随着键合时间延长,钎料内原位反应区 Cu6(In, Sn)5 开始向 Cu3(In,Sn)转变,焊点剪切强度呈先上升后下降趋势,键合时间 15 min 时,剪切强度为 26.54 MPa。Yang 等人研究发现 Mo 可以显著抑制 Sn-58Bi 焊点中 Cu6Sn5 层在老化过程中的生长,但是 Mo 对 Cu3Sn 化合物层影响较少。Yang 等人研究发现在Sn-58Bi 钎料中添加 Mo 颗粒可以细化和均匀钎料的微观组织,提高钎料合金硬度。还研究发现 Sn-58Bi 钎料中加入 Mo 可以提高钎料润湿性,同时改变焊点断裂模式,Sn-58Bi-0.25Mo 焊 点 断 裂 模 式 为 韧 脆 混 合 断 裂 。因此,本项目通过 Mo 对 In-Sn 基钎料进行强化,对其焊点的的显微组织形貌、界面 IMC、剪切性能、断口形貌及断裂位置进行了研究,对研究和制备新型无铅复合钎料有着重要指导意义。